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薄膜均勻性概念

1.厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看（也就是1/10波長(zhǎng)作為單位，約為100A），真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見(jiàn)光波長(zhǎng)的1/10范圍內(nèi)，也就是說(shuō)對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來(lái)說(shuō)，真空鍍膜沒(méi)有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說(shuō)要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整，具體控制因素下面會(huì)根據(jù)不同鍍膜給出詳細(xì)解釋。而低輻射膜則能滿(mǎn)足高緯度地區(qū)充分接受太陽(yáng)輻射能量和1大限度阻止室內(nèi)熱量外流的要求。

2.化學(xué)組分上的均勻性： 就是說(shuō)在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過(guò)小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過(guò)程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。 具體因素也在下面給出。也許很多人都認(rèn)為，設(shè)備只要正常運(yùn)轉(zhuǎn)就可以了，搞得再干凈也是做表面工作。

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蒸發(fā)鍍膜

一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4. 真空度

5. 鍍膜時(shí)間，厚度大小

組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

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真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域

在平板顯示器中

所有各類(lèi)平板顯示器都要用到各種類(lèi)型的薄膜，而且，幾乎所有類(lèi)型的平板顯示器件都需要使用ITO膜，以滿(mǎn)足透明電器的要求。可以毫不夸張的說(shuō)，沒(méi)有薄膜技術(shù)，就沒(méi)有平板顯示器件。

在太陽(yáng)能利用方面

當(dāng)需要有效地利用太陽(yáng)熱能時(shí)，就要考慮采用對(duì)太陽(yáng)光線(xiàn)吸收較多、而對(duì)熱輻射等所引起的損耗較小的吸收面。太陽(yáng)光譜的峰值大約在波長(zhǎng)為2-20μm之間的紅外波段。一、真空主體——真空腔根據(jù)加工產(chǎn)品要求的各異，真空腔的大小也不一樣，目前應(yīng)用的有直徑1。由于太陽(yáng)輻射與熱輻射光譜在波段上有差異，因此，為了有效地利用太陽(yáng)熱能，就必須考慮采用具有波長(zhǎng)選擇特性的吸收面。

理想的選擇吸收面，是太陽(yáng)輻射光譜的波段（可見(jiàn)光波段）吸收率（α）為1，在熱輻射波段（紅外波段）輻射率（ε）為0。

在防偽技術(shù)中

防偽膜種類(lèi)很多，從使用方法可分為反射式和透射式；從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。

在飛機(jī)防護(hù)涂層方面

飛機(jī)的鈦合金緊固件，原來(lái)采用電鍍方法鍍鎘。但在鍍鎘中含有氫，所以在飛行過(guò)程中，受到大氣、海水的腐蝕，鍍層上容易產(chǎn)生“鎘脆”，甚至引起“空難”。

1964年，采用離子鍍方法在鈦合金緊固件上鍍鋁，解決了飛機(jī)零件的“鎘脆”問(wèn)題。在離子鍍技術(shù)中，由于給工件施加負(fù)偏壓，可以形成“偽擴(kuò)散層”、細(xì)化膜層組織，因此，可以顯著提高膜層的耐腐蝕性能。

在光學(xué)儀器中

人們熟悉的光學(xué)儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機(jī)、測(cè)距儀，以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等，它們都離不開(kāi)鍍膜技術(shù)，鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。

在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中

薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：

由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。

為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。

在傳感器方面

在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對(duì)于物理量、化學(xué)量及其變化來(lái)說(shuō)，極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價(jià)格制作，因此，采用薄膜的情況很多。

在集成電路制造中

晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線(xiàn)等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢?jiàn)，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。

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